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Typical Characteristics
5
4
I D = -2.2A
V DS = -5V
-10V
600
500
f = 1MHz
V GS = 0 V
-15V
400
C ISS
3
300
2
1
200
100
C OSS
C RSS
0
0
0
5
10
15
20
0
1
2 3
Q g , GATE CHARGE (nC)
4
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1
T J = 125 o C
0.1
T J = 25 o C
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1.E-01
T J = 125 o C
1.E-02
1.E-03
0.01
T J = 25 o C
1.E-04
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.E-05
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
1
D = 0.5
0.2
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 180 °C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.01
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC6392S Rev C(W)
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